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半導體清潔刷的技術支撐與應用突破

發布時間:2025-09-03 瀏覽量：350 作者：傲群毛刷

隨著 AI 芯片需求增長，2nm GAA（全環繞柵極）架構逐步推進，對晶圓表面粗糙度的要求提升至 Ra<0.5nm。當制程進入 2nm 時代，污染物控制需精準到 20nm 以下，傳統清潔技術面臨挑戰，清潔刷的性能對制程突破起到重要支撐作用。

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GAA 架構的推廣帶來了新的清潔需求：鈷 / 釕互連工藝對強酸腐蝕較為敏感，需配合低溫臭氧清洗工藝（清洗溫度控制在 40-60℃），這要求清潔刷在低溫環境下仍保持穩定的彈性與清潔能力；120 層堆疊的 3D NAND 光罩，其微小縫隙（最小孔徑僅 1μm）的清潔需求，對清潔刷的毛絲細度與排布精度提出更高要求。

定向纖維技術與兆聲波清洗的結合，成為應對這類需求的核心方案之一 —— 通過 40kHz 以上的高頻振動，配合直徑 0.1mm 的超細柔性刷毛，可深入光罩微小縫隙剝離頑固的 CMP 漿料殘留，同時將接觸壓力控制在 50mN 以內，減少表面損傷風險。材料層面，聚酰亞胺刷毛在 60℃的清洗溫度下，仍能保持 95% 以上的彈性恢復率，這一性能較傳統尼龍刷毛更具優勢，部分 2nm GAA 產線已逐步采用這類刷毛制成的清潔刷。

隨著 2nm 工藝進入量產準備階段，單粒子檢測技術與清潔刷的協同成為新趨勢。通過實時監測晶圓表面污染物分布，清潔刷可動態調整接觸壓力與清掃路徑，形成閉環控制。傲群刷業的半導體清潔刷，依托其 1mm 超細毛刷技術（毛絲直徑誤差 < 0.005mm）與螺旋型毛絲分布技術（每平方厘米刷毛密度誤差 < 3%），已通過部分客戶的 GAA 架構芯片清潔驗證，0.01mm 的公差控制與 CPK≥1.67 的穩定性，適配 2nm 產線的精細清潔需求，為制程升級提供微觀層面的支撐。

此文關鍵詞：半導體清潔刷的技術支撐與應用突破

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